温州on安森美代理哪家做的好选科翔微！mos电容：（a）未偏置（vbg=0v），（b）反转（vbg=3v），（c）积累（vbg=-3v）。正是当mos电容的gate相对于backgate是负电压时的情况。电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。专业经销 
mos电容的特性能被用来形成mos管。gate，电介质和backgate保持原样。在gate的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。只要gate对backgate的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。drain和backgate之间的pn结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果gate电压超过了阈值电压，在gate电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的n型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说，只有在gate 对source电压v 超过阈值电压vt时，才会有drain电流。
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