mos电容的特性能被用来形成mos管。gate,电介质和backgate保持原样。在gate的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source,另一个称为drain。假设source 和backgate都接地,drain接正电压。只要gate对backgate的电压仍旧小于阈值电压,就不会形成channel。drain和backgate之间的pn结反向偏置,所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果gate电压超过了阈值电压,在gate电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的n型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说,只有在gate 对source电压v 超过阈值电压vt时,才会有drain电流。
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