对于国产软硬件，我们从未如此期盼，幸运的是各项突破也是接踵而至，现在我们终于有了自己的内存。
长鑫存储官方网站上，已经公开列出了自家的ddr4内存芯片、ddr4内存条、lpddr4x内存芯片，都符合国际通行标准规范。
据介绍，长鑫ddr4内存芯片可匹配主流市场需求，支持多领域应用、多产品组合，并有充分的可靠性保障，规格方面单颗容量8gb(1gb)，频率2666mhz，电压1.2v，工作温度0℃至95℃，78ball、96ball fbga两种封装样式。
长鑫特别强调，这是第一颗国产的ddr4内存芯片。
根据此前消息，这些芯片都采用国产第一代10nm级工艺制造，预计到2020年底月产能可达4万片晶圆。
ddr4内存条也是长鑫自主开发设计，搭载原厂颗粒，种类齐全，提供udimm桌面型、so-dimm笔记本型，容量均为单条8gb，频率2666mhz，电压1.2v，工作温度0℃至95℃。
lpddr4x内存芯片号称匹配主流需求，兼备高速度与低功耗，可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验，规格方面单颗容量2gb、4gb，频率3733mhz，电压1.8v、1.1v、0.6v，工作温度-30℃至85℃，200ball fbga封装。
目前，长鑫已开始接受上述产品的技术和销售咨询，相信它们很快就会出现在市面上。
长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动，总投资1500亿元，专业从事dram内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。
就在去年底，长鑫存储从polaris获得了大量dram技术专利的实施许可，而这些专利来自polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。
作者：上方文q编辑：上方文q来源：快科技

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